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商品参数:

  • 型号:2SD1963 T100Q
  • 厂家:ROHM
  • 批号:05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:DGQ
  • 封装:SOT-89/SC-62/MPT3
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) 50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) 20V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) 3A
截止频率fTTranstion Frequency(fT) 150MHz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) 120~560
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 250mV/0.25V
耗散功率PcPower Dissipation 500mW/0.5W
Description & Applications Power Transistor (-50V, -3A) featrues low saturation voltage excellent DC current gain characteristics
描述与应用 功率晶体管(-50V,-3A) 特点 低饱和电压 出色的DC电流增益特性
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SD1963 T100Q
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