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  • 型号：2SK3475
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：12+ROHS 05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：wb
  • 封装：SOT-89/PW-Mini
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage5V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.9-2.9V
耗散功率Pd Power Dissipation3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications Features Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications Output power: PO = 630 mW (min) Gain: GP = 14.9dB (min) Drain efficiency: ηD = 45% (min)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 VHF和UHF频段放大器的应用 特性 硅N沟道MOS型 VHF和UHF频段放大器的应用 输出功率：PO= 630毫瓦（最小） 增益：GP=14.9分贝（分） 漏极效率：ηD=45％（分钟）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK3475
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