| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 400V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 100mA/0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 40MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1W |
| Description & Applications | Silicon NPN triple diffusion planer type For low-frequency output amplification Features High collector to base voltage VCBO. High collector to emitter voltage VCEO. Large collector power dissipation PC. Low collector to emitter saturation voltage VCE(sat) Mini Power type package |
| 描述与应用 | 硅NPN三重扩散平面型 对于低频输出放大 特点 高集电极基极电压VCBO。 高集电极发射极电压VCEO。 大集电极功耗PC。 低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） 迷你功率型封装 |