| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | 50 V |
| 栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage | 50 V |
| 漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current | －1.2~－3.0mA |
| 关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage | 0.3~6.0V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 150mW/0.15W |
| Description & Applications | TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL JUNCTION TYPE 2SJ106 AUDIO FREQUENCY AMPLIFIER APPLICATIONS ANALOG SWITCH APPLICATIONS CONSTANT CURRENT APPLICATIONS IMPEDANCE CONVERTER APPLICATIONS High Breakdown Voltage : VGDS=50V High Input Impedance : IGSS=1.0nA(Max.)(VGS=30V) Low RDS(ON) : RDS(ON)=270Ω(Typ.) (IDSS=-5mA) Small Package |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅P沟道结型 2SJ106 音频放大器应用 模拟开关应用 恒定电流的应用 阻抗转换器应用 高击穿电压：VGDS= 50V 高输入阻抗：IGSS=1.0nA（最大）（VGS=30V） 低RDS（ON） RDS（ON）=270Ω（典型值）（IDSS=-5mA） 小包装 |