2SJ212 P沟道MOS场效应管 -60V 500mA 0.8ohm SOT-89 marking/标记 PO 高速开关直接驱动5V电源IC|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

2SJ212 P沟道MOS场效应管 -60V 500mA 0.8ohm SOT-89 marking/标记 PO 高速开关直接驱动5V电源IC

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型号：2SJ212
厂家：NEC
批号：05+ 05+
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：PO
封装：SOT-89/SC-62
技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流IdDrain Current	-500mA/-0.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.8Ω @-500mA,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0--3.0V
耗散功率PdPower Dissipation	2W
Description & Applications	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR P-CHANNEL MOS FET FOR SWITCHING Directly driven by ICs having a 5V power supply Has low on-state resistance
描述与应用	MOS场效应晶体管 P沟道MOS FET用于开关直接驱动5V电源IC 具有低导通电阻

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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