请先登录
首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:2SJ648
  • 厂家:NEC
  • 批号:04+nopb
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:H1
  • 封装:SOT-523
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-0.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance1.17Ω @-2A,-4.5V
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8--1.8V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsFEATURES •2.5 V drive available •Low on-state resistance RDS(on)1 = 1.45 Ω MAX. (VGS = −4.5 V,ID−0.2A) RDS(on)2 = 1.55 Ω MAX. (VGS = −4.0 V, ID = −0.2 A) DS(on)3 = 2.98 Ω MAX. (VGS = −2.5 V, ID = −0.15 A)
描述与应用•2.5 V驱动器可用 •低通态电阻 的RDS(on)1 =1.45Ω最大。 (VGS= -4.5 V,ID-0.2A) 的RDS(on)2 =1.55Ω最大。 (VGS= -4.0 V,ID= -0.2) DS(上)3=2.98Ω最大。 (VGS= -2.5 V,ID= -0.15)
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
2SJ648
*主题:
详细内容:
*验证码: