2SK1284-Z-E1 N沟道MOSFET 100V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 K1284 低导通电阻|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK1284-Z-E1 N沟道MOSFET 100V 3A TO-252/D-PAK marking/标记 K1284 低导通电阻

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型号：2SK1284-Z-E1
厂家：NEC
批号：05+
整包数量：2000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：K1284
封装：TO-252/D-PAK
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.26Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation	1W
Description & Applications	MOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR Low on-state resistance Low Ciss Css=500 pF TYP Built-in G-S gate protection diode
描述与应用	MOS场效应功率晶体管低通态电阻低西斯CSS=500 pF（典型值）内置G-S栅极保护二极管

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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UPA621TT N沟道MOSFET 20V 5A SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88 marking/标记 WB 低导通电阻/高速开关/低门槛/低栅极驱动器	UPA621TT 标记：WB 封装：SOT-363/SC70-6/TSSOP6/SC-88	NEC	批号：05+	1800 10起订
BFT46 N沟道结型场效应管 25v 0.2~1.5mA SOT-23 marking/标记 M3W 低级别的通用放大器	BFT46 标记：M3W 封装：SOT-23/SC-59	NXP/PHILIPS	批号：05+	0 10起订
小功率电感 KL731JTE27NG KL731JTEG27N 27nH 0603-27N	KL731JTE27NG KL731JTEG27N 标记：封装：0603-27N	KOA	批号：05+	0 10起订
PESD3V3U1UT 瞬态抑制二极管TVS/ESD 3.3V SOT-23-3.3V 标记WAP	PESD3V3U1UT 标记：WAP 封装：SOT-23-3.3V	NXP/PHILIPS	批号：11+NOPB 11+NOPB	0 10起订
UDZSTE-175.1B 稳压二极管 5.1V 200mW/0.2W SOD323/0805-5.1V marking/标记 A2 恒压控制	UDZSTE-175.1B 标记：A2 封装：SOD323/0805-5.1V	ROHM	批号：10+ROHS 11+ROHS	0 10起订
运算放大器 LMC7101BIM5X SOT-153 marking/标记 AOOB	LMC7101BIM5X 标记：AOOB 封装：SOT-153/SOT23-5	National Semiconductor	批号：05+ 05+	230 10起订
G675L240T1U 电压检测器电源IC 2.4V SOT-153/SOT23-5 marking/标记 675H2 微处理器复位IC	G675L240T1U 标记：675H2 封装：SOT-153/SOT23-5	GMT	批号：05+	2100 10起订

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