请先登录
首页
购物车0
库存657件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK1284-Z-E1
  • 厂家：NEC
  • 批号：05+
  • 整包数量：2000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K1284
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage100V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current3A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.26Ω/Ohm @2A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation1W
Description & ApplicationsMOS FIELD EFFECT POWER TRANSISTOR Low on-state resistance Low Ciss Css=500 pF TYP Built-in G-S gate protection diode
描述与应用MOS场效应功率晶体管 低通态电阻 低西斯CSS=500 pF（典型值） 内置G-S栅极保护二极管
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK1284-Z-E1
*主题：
详细内容：
*验证码：