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  • 型号：2SK1826
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+ 05+NOPB2600
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：KH
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage10V
最大漏极电流Id Drain Current50mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance20Ω/Ohm @10mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON A CHANNEL MOS TYPE HIGH SPEED SWITCHING APPLICATION ANALOG SWITCHING APPLICATION Features Silicon N-Channel MOS FET High speed switching application Analog switching application 4V gate drive Low threshold voltage High speed Enhancement-mode small package
描述与应用东芝场效应晶体管的硅A通道MOS型 高速开关应用 模拟开关应用 特性 硅N沟道MOS FET 高速开关应用 模拟开关应用 4V栅极驱动 低阈值电压 高速 增强型 小包装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK1826
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