请先登录
首页
购物车0
库存8220件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK1949STL
  • 厂家：HITACHI
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K1949
  • 封装：TO-252/D-PAK
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.12Ω/Ohm @3A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.25V
耗散功率Pd Power Dissipation20W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET High speed power switching Features Silicon N-Channel MOS FET High speed power switching application Low on-resistance High speed switching Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for Switching regulator, DC - DC converter Avalanche ratings
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速功率开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速功率开关应用 低导通电阻 高速开关 低驱动电流 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源 适用于开关稳压器，直流 - 直流转换器 雪崩额定值
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK1949STL
*主题：
详细内容：
*验证码：