请先登录
首页
购物车0
库存5700件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：2SK2373ZE
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：ZE
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current400mA/0.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance1Ω/Ohm @10A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2V
耗散功率Pd Power Dissipation150mW/0.15W
Description & ApplicationsSilicon N-Channel MOS FET Features Silicon N-Channel MOS FET Low frequency power switching Low on-resistance Small package Low drive current 4 V gate drive device can be driven from 5 V source Suitable for low signal load switch
描述与应用硅N沟道MOS FET 特性 硅N沟道MOS FET 低频电源开关 低导通电阻 小型封装 低驱动电流 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源 适合低信号负载开关
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
2SK2373ZE
*主题：
详细内容：
*验证码：