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  • 型号：2SK3210
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：06NOPB
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：K3210
  • 封装：TO-263
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage150V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current30A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.04Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation100W
Description & ApplicationsSilicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Features Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching Low on-resistance RDS = 40 m? typ High speed switching 4 V gate drive device can be driven from 5 V source
描述与应用硅N沟道MOS FET 高速电源开关 特性 硅N沟道MOS FET 高速电源开关 低导通电阻 RDS=40MΩ（典型值） 高速开关 4 V栅极驱动器可驱动从5 V电源
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK3210
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