| 最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 7.5V |
| 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 3.5V |
| 最大漏极电流Id Drain Current | 500mA/0.5A |
| 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | |
| 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 0.2-1.2V |
| 耗散功率Pd Power Dissipation | 3W |
| Description & Applications | TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type VHF- and UHF-band Amplifier Applications • Output power: PO =28.4dBmW (typ) • Gain: GP = 15.4dB (typ) • Drain efficiency: ηD = 64% (typ) Features VHF- and UHF-band Amplifier Applications Output power: PO =28.4dBmW (typ) Gain: GP = 15.4dB (typ) Drain efficiency: ηD = 64% (typ) |
| 描述与应用 | 东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 VHF和UHF频段放大器的应用 •输出功率：：PO=28.4dBmW（典型值）。 •增益：GP=15.4分贝（典型值） •排水效率：ηD=64％（典型值） 特性 VHF和UHF频段放大器的应用 输出功率：PO=28.4dBmW（典型值） 增益：GP=15.4分贝（典型值） 漏极效率：ηD=64％（典型值） |