2SK3980 N沟道MOSFET 60V 900mA/0.9A SOT-89 marking/标记 LS 低导通电阻/高速开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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2SK3980 N沟道MOSFET 60V 900mA/0.9A SOT-89 marking/标记 LS 低导通电阻/高速开关

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型号：2SK3980
厂家：SANYO
批号：05+NOPB
整包数量：1000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：LS
封装：SOT-89/SC-62/PCP
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	10V
最大漏极电流Id Drain Current	900mA/0.9A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance	0.635Ω/Ohm @500mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0.4-1.3V
耗散功率Pd Power Dissipation	900mW/0.9W
Description & Applications	N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features General-Purpose Switching Device Applications Low ON-resistance Ultrahigh-speed switching 1.8V drive
描述与应用	N-沟道硅MOSFET 通用开关设备应用特性通用开关设备应用低导通电阻超高速开关 1.8V驱动

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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