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商品参数:

  • 型号:2SK879-GR
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:12+ROHS 12+ROHS
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:JG
  • 封装:SOT-323/SC70
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage50v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -50v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current2.6~6.5ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage -0.4~-5v
耗散功率PdPower Dissipation100mW/0.1W
Description & Applications•Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type •General Purpose and Impedance Converter and Condenser Microphone Applications •High breakdown voltage: VGDS = −50 V • High input impedance: IGSS = −1.0 nA (max) (VGS = −30 V) • Low noise: NF = 0.5dB (typ.) (RG = 100 kΩ, f = 120 Hz)
描述与应用•场效应晶体管的硅N沟道结型 •通用和阻抗转换器和 电容式麦克风应用 •高击穿电压:VGDS=-50 V •高输入阻抗:IGSS= -1.0 NA(最大值)(VGS=-30 V) •低噪音:NF=0.5分贝(典型值)(RG=100kΩ的,F =120赫兹)
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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2SK879-GR
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