3SK297 N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 ZP 低噪声增益控制放大器/低电压操作|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

3SK297 N沟道MOSFET 12V 25mA SOT-143/MPAK-4 marking/标记 ZP 低噪声增益控制放大器/低电压操作

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型号：3SK297
厂家：HITACHI
批号：05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：ZP
封装：SOT-143/MPAK-4
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	12V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	8V
最大漏极电流Id Drain Current	25mA
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	0-1.0V
耗散功率Pd Power Dissipation	150mW/0.15W
Description & Applications	Features •Low noise figure. NF = 2.0 dB typ. at f = 900 MHz •Capable of low voltage operation
描述与应用	•低噪声系数。 NF= 2.0 dB（典型值）在f =900 MHz的 •能够低电压操作

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
MIC5264-NFYMLTR LDO电压调整器/稳压电源IC 2.85/1.5V 210mV/0.21V 带使能脚EN/CE 2525D-10L/10MLF 2.2X2.5 marking/标记 MANF 短路保护过热保护	MIC5264-NFYML 标记：MANF 封装：2525D-10L/10MLF 2.2X2.5	MICREL	批号：06NOPB	282 10起订
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4mm的方形贴片，单圈，密封的金属陶瓷剪 G4SATB204M 200KΩ/Ohm 5X5-200K marking/标记 204	G4SATB204M 标记：204 封装：5X5-200K	TOCOS	批号：05+	1650 10起订

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