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  • 型号：APM2301CAC
  • 厂家：茂达
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：C01B
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-2.8A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.085Ω @-2A,-2.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.5--1V
耗散功率PdPower Dissipation830mW/0.83W
Description & ApplicationsP-Channel Enhancement Mode MOSFET -20V/-2.8A RDS(ON)= 56mW (typ.) @ VGS= -4.5V RDS(ON)= 85mW (typ.) @ VGS= -2.5V RDS(ON)= 106mW (typ.) @ VGS= -1.8V Super High Dense Cell Design Reliable and Rugged
描述与应用P沟道增强型MOSFET -20V/-2.8A RDS（ON）=56mW（典型值）@ VGS=-4.5V RDS（ON）=85mW（典型值）@ VGS=-2.5V RDS（ON）=106mW（典型值）@ VGS=-1.8V 超级高密度电池设计 可靠耐用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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APM2301CAC
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