5HN02M-TL N沟道MOSFET 50V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 YF 低导通电阻/超高速开关|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

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5HN02M-TL N沟道MOSFET 50V 200mA/0.2A SOT-23/SC-59 marking/标记 YF 低导通电阻/超高速开关

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型号：5HN02M-TL
厂家：SANYO
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：YF
封装：SOT-23/SC-59
技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage	50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage	20V
最大漏极电流Id Drain Current	200mA/0.2A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage	1-2.4V
耗散功率Pd Power Dissipation	250mW/0.25W
Description & Applications	N-channel Silicon MOSFET General -Purpose Switching Device Application Features • Low ON-resistance. • Ultrahigh-speed switching. • 4V drive.
描述与应用	N沟道硅MOSFET 通用开关设备应用程序 •低导通电阻。 •超高速开关。 •4V驱动器

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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小功率电感 LQH3NR68M34M00 680nH/0.68UH 3225-R68M	LQH3NR68M34M00 标记：封装：3225-R68M	MURATA	批号：05+ 05+	8400 10起订
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