| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | -45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | −45V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | −100mA/-0.1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 250~460 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter SaturationVoltage | −550mV/-0.55V |
| 耗散功率PcPoWer Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR FEATURES • Low current (max. 100 mA) • Low voltage (max. 45 V) • Low noise. APPLICATIONS • Low level, low noise, low frequency applications in hybrid circuits • General purpose switching and amplification. |
| 描述与应用 | PNP通用晶体管 特点 •低电流（最大100 mA） •低电压（最大45 V） •低噪音。 应用 •低层次，低噪音，低频率混合电路中的应用 •通用开关和放大。 |