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  • 型号：BF861B
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：11NOPB 11NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：29W
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage25v
栅源极击穿电压V(BR)GSGate-Source Voltage -25v
漏极电流(Vgs=0V)IDSSDrain Current6~15ma
关断电压Vgs(off)Gate-Source Cut-off Voltage
耗散功率PdPower Dissipation250mW/0.25W
Description & Applications•N-channel silicon field-effect transistors General description N-channel symmetrical junction field effect transistors in a SOT23 package.
描述与应用•N沟道硅场效应晶体管 一般说明 N沟道对称结场效应晶体管采用SOT23封装。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BF861B
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