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  • 型号:BFG135A
  • 厂家:SIEMENS
  • 批号:05+
  • 整包数量:1000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:BFG135
  • 封装:SOT-223
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)25V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)15V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)150mA/0.15A
截止频率fTTranstion Frequency(fT)4.5Ghz~6Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)80~250
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation1W
Description & ApplicationsNPN Silicon RF Transistor • For low-distortion broadband output amplifier stages in antenna and telecommunications systems up to 2 GHz at collector currents from 70mA to 130mA • Power amplifiers for DECT and PCN systems • Integrated emitter ballast resistor • fT = 6 GHz
描述与应用NPN硅RF晶体管 •对于低-失真的的的宽带输出放大器中   天线和电信中的阶段   高达在集电极电流从至2 GHz的系统中   70mA到130毫安 •DECT和PCN系统上的的电源放大器,适用于 •集成的的发射极镇流器电阻器 •fT的=6 GHz的
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BFG135A
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