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  • 型号：SI1303DL-T1
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：06NOPB 06+ROHS3KM
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：LA
  • 封装：SOT-323/SC70
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current-720mA/-0.72A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.360Ω @-1A,-4.5V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-0.6--1.4V
耗散功率PdPower Dissipation340mW/0.34W
Description & ApplicationsFEATURES • TrenchFET Power MOSFETs • 2.5 V Rated
描述与应用功率MOSFET •2.5 V额定
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI1303DL-T1
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