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商品参数:

  • 型号:BFQ67W
  • 厂家:NXP/PHILIPS
  • 批号:06+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:V2
  • 封装:SOT-323/SC-70
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)20V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)15V
集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)50mA
截止频率fTTranstion Frequency(fT)8Ghz
直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)100
管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage
耗散功率PcPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsNPN 8 GHz wideband transistor FEATURES • High power gain • Low noise figure • High transition frequency • Gold metallization ensures excellent reliability • SOT323 envelope. DESCRIPTION NPN transistor in a plastic SOT323 envelope. It is designed for wideband applications such as satellite TV tuners and RF portable communications equipment up to 2 GHz.
描述与应用NPN8 GHz的宽带晶体管 特点 •高功率增益 •低噪声系数 •高转换频率 •黄金金属确保卓越的可靠性 •SOT323信封。 说明 NPN晶体管在一个塑料SOT323信封。它是专为宽带应用,如卫星电视调谐器和射频的便携式通信设备高达2 GHz。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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BFQ67W
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