| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 70V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 60V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40~120 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1.35W |
| Description & Applications | NPN medium power transistors FEATURES • High current (max. 1 A) • Low voltage (max. 80 V). APPLICATIONS • Thick and thin-film circuits • Telephony and general industrial applications. |
| 描述与应用 | NPN中等功率晶体管 特点 •高电流（最大1 A） •低电压（最大80 V）。 应用 •厚薄膜电路 •电话和一般工业应用。 |