| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 45V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 25V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 1A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 100MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 150~450 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 225mW/0.225W |
| Description & Applications | Low Vce（sat） NPN Epitaxial Planar Transistor Features The BTD2040N3S is designed for general purpose low frequency power amplifier applications. Low VCE(sat), Pb-free lead plating and halogen-free package |
| 描述与应用 | 低VCE（sat）的NPN外延平面晶体管 特点 是专为通用低频功率放大器应用BTD2040N3S。 低VCE（饱和）， 无铅引脚电镀和无卤素封装 |