| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage |
900V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage |
±30V |
| 最大漏极电流IdDrain Current |
1A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance |
8.0Ω~9.0Ω (VGS=10 V,ID=0.5A) |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage |
Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA) |
| 耗散功率PdPower Dissipation |
40W |
| Description & Applications |
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π−MOSIII). Chopper Regulator, DC/DC Converter and Motor Drive. Applications. Low drain-source ON-resistance : RDS (ON) = 8.0 Ω (typ.) High forward transfer admittance : |Yfs| = 0.9 S (typ.). Low leakage current : IDSS = 100 μA (max) (VDS = 720 V). Enhancement mode : Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA). |
| 描述与应用 |
东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS型（π-MOSIII）。 斩波稳压器，DC/ DC转换器和电机驱动。 应用程序。 低漏源导通电阻RDS（ON）=8.0Ω（典型值） 高正向转移导纳：YFS|=0.9秒（典型值）。 低漏电流：IDSS= 100μA（最大值）（VDS= 720 V）。 增强模式：VTH =2.0〜4.0 V（VDS=10V，ID= 1毫安）。 |