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  • 型号：HAT1111C
  • 厂家：RENESAS
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：UA
  • 封装：SOT-363/SC70-6/CMFPAK - 6)
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-60V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage-20V
最大漏极电流IdDrain Current-2A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance0.245Ω @-1A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage-1--2V
耗散功率PdPower Dissipation1.25W
Description & Applications• Low on-resistance RDS(on) = 41 mΩ typ. (at VGS = –4.5 V) • Low drive current. • 1.8 V gate drive devices. • High density mounting
描述与应用•低导通电阻 RDS（ON） = 41MΩ（典型值）。 （VGS=-4.5 V） •低驱动电流。 •1.8 V门驱动装置。 •高密度安装
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
HAT1111C
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