请先登录
首页
购物车0
库存17380件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：HN2S02JE
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：0305NOPB11K
  • 整包数量：4000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：A9
  • 封装：SOT-553/ESV
  • 技术文档：下载

反向电压VrReverse Voltage40V
平均整流电流IoAVerage Rectified Current100mA/0.1A
最大正向压降VFForward Voltage(Vf) 600mV/0.6V
最大耗散功率PdPower dissipation100MW/0.1W
Description & Applications. High-speed Switching Applications . HN2S02JE is composed of two independent Schottky Barrier diodes. . Low forward voltage: VF (3) = 0.54V (typ.) . Low reverse current: IR = 5μA (max.)
描述与应用高速开关应用 HN2S02JE是由两个独立的肖特基二极管并排。 低正向电压VF（3）=0.54V（典型值） 低反向电流：IR=5μA（最大）
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
HN2S02JE
*主题：
详细内容：
*验证码：