IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻低栅极电荷|电感电容-可调电容电阻-二极管场效应管MOS-军品工业级晶振-爱瑞凯电子商城

IRF5803TR P沟道MOS场效应管 -40V -3.4A 0.112ohm SOT-163 marking/标记 G6 低导通电阻低栅极电荷

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型号：IRF5803TR
厂家：IR
批号：05+ 05+
整包数量：3000
最小起批量：10
标记/丝印/代码/打字：G6
封装：SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
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最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage	-40V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage
最大漏极电流IdDrain Current	-3.4A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance	0.112Ω @-3.4A,-10V
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage	-1.0--3V
耗散功率PdPower Dissipation	2W
Description & Applications	Ultra Low On-Resistance P-Channel MOSFET Surface Mount Available in Tape & Reel Low Gate Charge
描述与应用	超低导通电阻 P沟道MOSFET 表面贴装可在磁带和卷轴低栅极电荷

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商品描述	供应商型号	厂牌	说明	库存
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