请先登录
首页
购物车0
库存1000件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：IRF6607TR1
  • 厂家：IR
  • 批号：05+
  • 整包数量：1000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：
  • 封装：MT
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current9.4A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance6.3Ω/Ohm @15A,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.3-2.0V
耗散功率Pd Power Dissipation3.6W
Description & ApplicationsHEXFETPower MOSFET Application Specific MOSFETs Ideal for CPU Core DC-DC Converters Low Conduction Losses High Cdv/dt Immunity Low Profile (<0.7 mm) Dual Sided Cooling Compatible Compatible with existing Surface Mount Techniques
描述与应用HEXFET功率MOSFET 特殊应用的MOSFET 非常适于CPU核心的DC-DC转换器 低传导损耗 高CDV/ dt抗扰性 薄型（<0.7毫米） 双面冷却双兼容 与现有的表面兼容 安装技术
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
IRF6607TR1
*主题：
详细内容：
*验证码：