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  • 型号：MMBF170LT1
  • 厂家：ON
  • 批号：03+ 03+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：6Z
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage60V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current500mA/0.5A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.05Ω/Ohm @200mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.8-3.0V
耗散功率Pd Power Dissipation225mW/0.225W
Description & ApplicationsN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Features •AEC Q101 Qualified − MVBF170LT1 •These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant
描述与应用功率MOSFET 500毫安，60 V N沟道SOT-23 AEC Q101标准 - MVBF170LT1 •这些器件是无铅，符合RoHS标准
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
MMBF170LT1
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