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  • 型号：PMGD8000LN
  • 厂家：NXP/PHILIPS
  • 批号：05+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：D8
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage15V
最大漏极电流IdDrain Current125mA/0.125A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance13Ω@ VGS =2.5V, ID =1mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.8~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsDual Trench MOS logic level FET Description Dual N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using Trench MOS technology. Features Trench MOS technology Very fast switching Logic level compatible Subminiature surface mount package Applications Battery management High-speed switch Low power DC-to-DC converter.
描述与应用双沟槽MOS逻辑电平FET 描述 双N沟道增强型场效应晶体管在一个塑料包装用 沟槽MOS的技术。 特点 沟槽MOS技术 开关速度非常快 逻辑电平兼容 超小型表面贴装封装 应用 电池管理 高速开关 低功率的DC-DC转换器。
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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PMGD8000LN
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