| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 500V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 400V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 300mA/0.3A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 20MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 40 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 750mV/0.75V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 1.35W |
| Description & Applications | NPN high-voltage transistor FEATURES • Low current (max. 300 mA) • High voltage (max. 400 V). APPLICATIONS • Telecommunication. DESCRIPTION NPN high-voltage transistor in a SOT223 plastic package |
| 描述与应用 | NPN高电压晶体管 特性 •低电流(max。300毫安) •高电压(max。400 V)。 应用 •通信。 描述 在一个SOT223 NPN型高压晶体管塑料包 |