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商品参数:

  • 型号:RN2105
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:05+ 05+NOPB8900
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:YE
  • 封装:SOT-523/SC-75/SSM
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)-100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)2.2KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio0.047
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)80
截止频率fT Transtion Frequency(fT)200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation0.1W/100mW
Description & ApplicationsFeatures • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) • Built-in bias resistors • Simplified circuit design • Fewer parts and simplified manufacturing process • Complementary to RN1101~RN1106 Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
描述与应用特点 •晶体管的硅PNP外延型(PCT工艺) •内置偏置电阻 •简化电路设计更少的部件和简化制造工艺 •互补RN1101~~ RN1106 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RN2105
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