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商品参数:

  • 型号:RN2308
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:05+ 05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:YI
  • 封装:SOT-323/SC-70
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)-50V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)-50V
集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)-100mA/-0.1A
基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)22KΩ/Ohm
基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)47KΩ/Ohm
电阻比(R1/R2) Resistance Ratio0.468
直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)80
截止频率fT Transtion Frequency(fT)200MHz
耗散功率Pc Power Dissipation0.1W/100mW
Description & ApplicationsFeatures • Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) • With built-in bias resistors • Simplify circuit design • Reduce a quantity of parts and manufacturing process • Complementary to RN1307to1309 Applications • Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
描述与应用特点 •PNP晶体管的硅外延型(PCT工艺) •内置偏置电阻 •简化电路设计 •减少了部件数量和制造工艺 •互补RN1307to1309的 应用 •开关,逆变电路,接口电路和驱动器电路应用
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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RN2308
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