| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 14V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 4.5V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 80mA |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 29GHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 50~200 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | Features • NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor • Low noise : NF=0.9dB typ (f=1.8GHz). • High cut-off frequency : fT=20GHz typ (VCE=1V).: fT=29GHz typ (VCE=4V). • Low voltage operation. • High Gain : S21e2=18.5dB typ (f=1.8GHz) • UHF to C Band Low Noise Amplifier,Low Phase Noise Oscillation Applications |
| 描述与应用 | 特点 •NPN平面外延硅晶体管 •低噪音：NF=0.9分贝典型值（F =1.8GHz的）。 •高截止频率：FT =20GHz的典型值（VCE=1V）：FT =29GHz典型（VCE=4V）。 •低电压操作。 •高增益：S21E2=18.5分贝典型值（F =1.8GHz的） •UHF到C波段低噪声放大器，低相位噪声振荡应用 |