| 最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage | -60V |
| 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage | -20V |
| 最大漏极电流IdDrain Current | -190mA/-0.19A |
| 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance | 8Ω@ VGS = -4.5V, ID = -25mA |
| 开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage | -1~-3V |
| 耗散功率PdPower Dissipation | 250mW/0.25W |
| Description & Applications | P-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free Option Available • Trench FET Power MOSFETs • High-Side Switching • Low On-Resistance: 4 Ω • Low Threshold: - 2 V (typ.) • Fast Switching Speed: 20 ns (typ.) • Low Input Capacitance: 23 pF (typ.) • Miniature Package • Gate-Source ESD Protected: 2000 V APPLICATIONS • Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Displays,Memories, Transistors etc. • Battery Operated Systems • Power Supply Converter Circuits • Solid State Relays |
| 描述与应用 | P沟道60-V（D-S）的MOSFET 特点 •无卤股权 •沟槽FET功率MOSFET •高边开关 •低导通电阻：4Ω •低阈值： - 2 V（典型值） •开关速度快：20 ns（典型值） •低输入电容23 PF（典型值） •微型包装 •门源ESD保护：2000 V 应用 •驱动器：继电器，螺线管，灯，锤子，显示器，记忆，晶体管等。 •电池供电系统 •电源转换器电路 •固态继电器 |