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商品参数:

  • 型号:SI3434DV
  • 厂家:VISHAY
  • 批号:05+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:
  • 封装:SOT-163/SOT23-6/TSOP-6
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最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流Id Drain Current4.6A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance50mΩ@ VGS =2.5V, ID =2A
开启电压Vgs(th) Gate-Source Threshold Voltage0.6V
耗散功率Pd Power Dissipation1.14W
Description & ApplicationsN-Channel 30-V (D-S) MOSFET Trench FET Power MOSFET Applications Li-lon Battery Protection
描述与应用N沟道30-V(D-S)的MOSFET沟槽FET功率MOSFET 应用 锂离子电池保护
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SI3434DV
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