请先登录
首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:SI3812DV
  • 厂家:VISHAY
  • 批号:04+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:12
  • 封装:SOT-163/SOT23-6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source VoltageN沟道 N-Channel
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current12V
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage125mΩ@ VGS =4.5V, ID =2.4A
耗散功率PdPower Dissipation0.6V
Description & Applications肖特基二极管SBD Schottky Barrier Diodes
描述与应用20V
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
SI3812DV
*主题:
详细内容:
*验证码: