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  • 型号：SI5402BDC
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：06+NOPB 06+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：ADO
  • 封装：1206-8/vs-8/SOT23-8
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current6.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance35mΩ@ VGS =10V, ID =4.9A
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage1~3V
耗散功率PdPower Dissipation2.5W
Description & ApplicationsN-Channel, 30-V (D-S) MOSFET
描述与应用30-V（D-S）的MOSFET N通道
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SI5402BDC
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