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  • 型号：SM2N7002E
  • 厂家：台产
  • 批号：05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：S72
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage50V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current250mA/0.25A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance3Ω/Ohm @250mA,10V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage1.0-2.5V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsN-Channel 1.2-V (G-S) MOSFET Low Threshold Load Switch for Portable Devices Low Power Consumption Increased Battery Life • Ultra Low Voltage Load Switch Features Advanced trench process technology High density cell design for ultra low on-resistance High input impedance High speed switching
描述与应用1.2-V的N沟道MOSFET（G-S） 用于便携式设备的低阈值负荷开关 - 低功耗 - 延长电池寿命 •超低电压负荷开关 先进沟道工艺技术 高密度电池设计超低导通电阻 高输入阻抗 高速开关
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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SM2N7002E
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