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  • 型号：ssm3k02f
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：05+ 05+
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：ku
  • 封装：SOT-23/SC-59
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流Id Drain Current1A
源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance0.2Ω/Ohm @500mA,4V
开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage0.6-1.1V
耗散功率Pd Power Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type High Speed Switching Applications High Speed Switching Applications Small Package Low on Resistance : Ron = 120 mΩ (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 150 mΩ (max) (@VGS = 2.5V) Low Gate Threshold Voltage: Vth = 0.6~1.1 V (@VDS = 3 V, ID = 0.1 mA)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 高速开关应用 高速开关应用 小包装 低导通电阻RON =120MΩ（最大）（@ VGS=4V） ：RON =150MΩ（最大）（@ VGS=2.5 V） 低栅极阈值电压VTH =0.6〜1.1 V（@ VDS=3 V，ID= 0.1毫安）
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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