请先登录
首页
购物车0

×

商品参数:

  • 型号:SSM6L05FU
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:13+rohs 06rohs884
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:K4
  • 封装:SOT-363/SC70-6/UF6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V/-20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V/12V
最大漏极电流IdDrain Current400mA/-200mA
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance800mΩ@ VGS = 4V, ID = 200mA / 3300mΩ@ VGS = -4V, ID =-100mA
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.1V/-0.6~-1.1V
耗散功率PdPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N/P Channel MOS Type Power Management Switch High Speed Switching Applications Small package Low on resistance Q1: Ron = 0.8 Ω (max) (@VGS = 4 V) Q2: Ron = 3.3 Ω (max) (@VGS = −4 V) Low gate threshold voltage
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N/ P沟道MOS类型 电源管理开关 高速开关应用 ?小型封装 ?低阻力Q1:RON =0.8Ω(最大)(@ VGS=4 V) Q2:RON =3.3Ω(最大值)(@ VGS=-4 V) ?低栅极阈值电压
规格书PDF 下载

×

在线询价:

* 来自:
寄予:
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
SSM6L05FU
*主题:
详细内容:
*验证码: