请先登录
首页
购物车0
库存363880件10起订
购买数量
商品参数
相关型号

×

商品参数：

  • 型号：SSM6N15FU
  • 厂家：TOSHIBA
  • 批号：11+ROHS 11+ROHS
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：DP
  • 封装：SOT-363/SC70-6/UF6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current100mA/0.1A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance4Ω@ VGS = 4V, ID = 10mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.8~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation200mW/0.2W
Description & ApplicationsTOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type ●High Speed Switching Applications ●Analog Switching Applications ● Small package ● Low ON resistance : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) : Ron = 7.0 Ω (max) (@VGS = 2.5 V)
描述与应用东芝场效应晶体管的硅N沟道MOS类型 ●高速开关应用 ●模拟开关应用 ●小型封装 ●低导通电阻RON =4.0Ω（最大）（@ VGS=4 V） RON =7.0Ω（最大值）（@ VGS= 2.5 V）
规格书PDF 下载

×

在线询价：

* 来自：
寄予：
深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品：
SSM6N15FU
*主题：
详细内容：
*验证码：