| 集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 75V |
| 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 40V |
| 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 600mA/0.6A |
| 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 300MHz |
| 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 100~300 |
| 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 300mV/0.3V |
| 耗散功率PcPower Dissipation | 350mW/0.35W |
| Description & Applications | Features •NPN Medium Power Transistor (Switching) •BVCEO > 40V (IC = 1mA) •Complements the UMT2907A / SST2907A/ MMST2907A / PN2907A |
| 描述与应用 | 特点 •NPN中等功率晶体管（开关） •BVCEO>40V（IC=1MA） •补充UMT2907A的/ SST2907A的/ MMST2907A/ PN2907A |