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商品参数:

  • 型号:TPC6102
  • 厂家:TOSHIBA
  • 批号:06+ROHS 05+NOPB3200
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:S3B
  • 封装:SOT-163/SOT23-6/VS-6
  • 技术文档:下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage-30V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage20V
最大漏极电流IdDrain Current-4.5A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance60mΩ@ VGS = -10V, ID = -2.2A
开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage-0.8~-2.0V
耗散功率PdPower Dissipation2W
Description & ApplicationsTOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON P CHANNEL MOS TYPE(U-MOSII) NOTEBOOK PC PORTABLE EQUIPMENTS APPLICATIONS Low drain-source on resistance High forward transfer admittance Low leakage current Enhancement-model
描述与应用东芝场效应晶体管硅P沟道MOS型(U-MOSII) 笔记本电脑 便携式设备应用 低漏源电阻 高正向转移导纳 低漏电流 增强模型
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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TPC6102
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