集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
5V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
3V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
30MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
11GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
70~140 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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耗散功率Pc
Power Dissipation |
180MW/0.18W |
描述与应用
Description & Applications |
硅NPN型射频双晶体管
内置低相位失真晶体管适合OSC的应用程序
内置2晶体管(2XNE687)
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