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商品参数:

  • 型号:UPA828TD
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:10000
  • 最小起批量:100
  • 标记/丝印/代码/打字:KL
  • 封装:SOT-763
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 5V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 3V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 30MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 11GHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 70~140
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 
耗散功率Pc
Power Dissipation
 180MW/0.18W
描述与应用
Description & Applications
  硅NPN型射频双晶体管
 内置低相位失真晶体管适合OSC的应用程序
 内置2晶体管(2XNE687)
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
商品:
UPA828TD
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