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商品参数:

  • 型号:UPA836TF-T1-A
  • 厂家:NEC
  • 批号:04+ 04+
  • 整包数量:3000
  • 最小起批量:10
  • 标记/丝印/代码/打字:V47
  • 封装:SOT-363/SC-88
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 Q1/Q2=9V/9V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 Q1/Q2=6V/6V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 Q1/Q2=30MA/100MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 Q1/Q2=12GHZ/9GHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 Q1/Q2=75~150/100~145
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 Q1/Q2=
耗散功率Pc
Power Dissipation
 200MW
描述与应用
Description & Applications
   NPN型硅外延双晶体管
  低噪声:
  Q1:NF = 1.5 dB TYP f = 2 GHz,VCE = 3 V,lc = 3
  Q2:NF = 1.7 dB TYP f = 2 GHz,VCE = 1 V,lc = 3
  高收益:
  Q1:| S21E |
  2 = 8.5 dB TYP f = 2 GHz,VCE V = 3,
  lc = 10马
  Q2:| S21E |
  2 = 3.5 dB TYP f = 2 GHz,VCE V = 1,
  马lc = 3
  六脚薄型小微型模具方案
  2不同的内置的晶体管
  (Q1:NE685,Q2 NE688):
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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UPA836TF-T1-A
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