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商品参数:

  • 型号:UPA869TD
  • 厂家:NEC
  • 批号:05+
  • 整包数量:10000
  • 最小起批量:100
  • 标记/丝印/代码/打字:KJ
  • 封装:SOT-763
  • 技术文档:下载

集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO)
 Q1/Q2=13V / 13V
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO)
 Q1/Q2=5V / 5V
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC)
 Q1/Q2=40MA / 100MA
截止频率fT
Transtion Frequency(fT)
 Q1/Q2=18GHZ / 6.5GHZ
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE)
 Q1/Q2=140~220 / 100~145
管压降VCE(sat)
Collector-Emitter Saturation Voltage
 
耗散功率Pc
Power Dissipation
 210MW
描述与应用
Description & Applications
 NPN型+硅锗硅射频双晶体管
  2不同的内置晶体管(NESG2046M33,2 sc5800)
 
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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UPA869TD
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