集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO
Collector-Base Voltage(VCBO) |
Q1/Q2=9V / 9V |
集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO
Collector-Emitter Voltage(VCEO) |
Q1/Q2=5.5V / 5.5V |
集电极连续输出电流IC
Collector Current(IC) |
Q1/Q2=100MA / 100MA |
截止频率fT
Transtion Frequency(fT) |
Q1/Q2=6.5GHZ / 6.5GHZ |
直流电流增益hFE
DC Current Gain(hFE) |
Q1/Q2=100~145 / 100~145 |
管压降VCE（sat）
Collector-Emitter Saturation Voltage |
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耗散功率Pc
Power Dissipation |
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描述与应用
Description & Applications |
NEC's NPN SILICON RF TWIN TRANSISTOR
LOW VOLTAGE, LOW CURRENT OPERATION
TWO LOW NOISE OSCILLATOR TRANSISTORS:NE851
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