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  • 型号：V30324-T1-E3
  • 厂家：VISHAY
  • 批号：06+NOPB 06+NOPB
  • 整包数量：3000
  • 最小起批量：10
  • 标记/丝印/代码/打字：PAB
  • 封装：SOT-363/SC70-6
  • 技术文档：下载

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage20V
最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage12V
最大漏极电流IdDrain Current700mA/0.7A
源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance385mΩ@ VGS = 4.5V, ID = 660mA
开启电压Vgs（th）Gate-Source Threshold Voltage0.6~1.5V
耗散功率PdPower Dissipation300mW/0.3W
Description & ApplicationsDual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS: 2.5 V Rated
描述与应用双N沟道20-V（D-S）的MOSFET 特点 •TrenchFET®功率MOSFET：2.5 V额定
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深圳市爱瑞凯电子科技有限公司
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V30324-T1-E3
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